RPS为Remote Plasma Source的简称，同时也恰恰是Radical Plasma Source的简称。RPS为德国牧歌公司的砖利产品。
Remote Plasma Source翻译为“远端等离子源”，其定义来自RPS的工作原理：即等离子只产生并且存在于RPS本体中，而不是在与之连接的工艺腔体内；工艺腔体内部没有等离子，PRS输入到其中的只有“自由基”（radicals）。因此RPS也成为Radical Plasma Source（自由基等离子源）。
RPS产生的自由基只能与工艺对象进行纯粹的化学反应，从而在产生极少热量的前提下，进行高速无物理损伤的刻蚀。 因此RPS非常适合需要避免离子轰击及高热负荷的工艺。

与相类产品的区别：
反应性质不同：市场上常见的射频等离子源（RF plasma Source）或RIE设备，其等离子的产生和进行相关的工艺都同在一个工艺腔体内，因此工艺的实质是“物理+化学”反应，其中物理的反应是指等离子对工艺对象的轰击作用（ion bombardment）。这种轰击通常会在工艺对象上产生大量的热，以及对工艺对象的物理损伤。

粒子密度不同：RPS的工作原理是采用2.45GHz的微波发生器作为功率源，以表面波方式激发等离子体。相比常规的射频等离子体源（通常为13.56MHz），其工作频率高一个量级。相应的其激发的等离子体的密度也高出一个量级（1010~17/cm3），从而RPS输出自由基具有很高浓度，来满足高速度的工艺反应。

工作条件：相比射频等离子源，RPS的典型工作真空度要小，为1.5-5.0Torr；
刻蚀性质：相比射频等离子源，RPS提供的刻蚀为各向同性，而射频等离子源会有一定方向性；

刻蚀质量：相比射频等离子源设备（如RIE），由于没有物理反应，其选择性取决与自由基的性质，因此可以实现很高的选择比（选择比可大于1000）；
在直径200mm圆形表面的热负荷为：
无反应时为10W；
有反应时为80W（微波功率1000W）
采用RPS可以开发以下应用设备：
硅、氮化硅、硅氧化物的高速各向同性刻蚀；
在硅、硅氧化物、金属、high-K、Low-K等基底上的光刻胶去除；
低压条件下的腔室清洁（比如使用2slm NF3在0.5Torr下进行）；
柔性电路板清洁及去胶渣；
表面处理，如硅表面的氮化和氧化处理；
半导体后道应用，如晶元的减薄和应力消除；
去除封装，用于失效分析；
其他表面处理、表面活化等工艺。

采用RPS的刻蚀设备的工艺性能
SU-8胶样品去除速率可达20um/分钟；
硅样品刻蚀速率可达90um/分钟；
8寸硅片减薄速率大于10um/分钟；
300mm晶元上光刻胶去除速率可达10um/分钟；
氮化硅和BPSG典型刻蚀速率1um/分钟；
热氧化物典型刻蚀速率250nm/分钟；
300mm晶元上金属钨刻蚀速率约0.5um/分钟；

RPS技术参数
尺寸 450mm x 250mm x 250mm
微波电源: 19寸机箱，3HE, 670mm x 500mm x 135mm
重量：标准RPS源约 24.5kg， 微波电源约15.5kg;
供电： 3 x 400VAC +/- 10%, 三相；频率50-60Hz
磁控管功率：*大3000W 连续输出@2.45GHz
工作压力：0.5Torr ~5.0Torr
典型工作气体总流量：500sccm~10slm
冷却水：3升/分钟，水压4bar；入口温度20-25°C;

总结：RPS源为德国MUEGGE公司专利技术和产品，它采用2.45GHz微波源作为等离子激励源，并且将等离子产生限定于RPS本体，仅仅输出自由基。它与市场上的RF等离子源设备（如RIE设备）在工作原理、结构和性能表现上有本质的区别。RPS并非一个注册商标，因此基于射频的远端等离子源也称为RPS源。